2ED21834S06JXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2ED21834S06JXUMA1 por Infineon e 2ED2183S06FXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2ED21834S06JXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,89 $1,05
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage SOI (Silicon-On-Insulator)
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Encapsulamento PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Número de pinos 14 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -40 °C to +125 °C —
Status RoHS Compliant Compliant
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
Número de saídas — 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
Tempo de subida — 15 ns
Tempo de descida — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
Temperatura de operação — -40 C to +125 C
Nível MSL — 2
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação