2ED21834S06JXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED21834S06JXUMA1 par Infineon et 2ED2183S06FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED21834S06JXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $1,05
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage SOI (Silicon-On-Insulator)
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Boîtier PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Nombre de broches 14 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +125 °C —
Statut RoHS Compliant Compliant
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
Nombre de sorties — 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
Temps de montée — 15 ns
Temps de descente — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Niveau MSL — 2
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)

Fiches techniques et ressources

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