2ED21834S06JXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2ED21834S06JXUMA1 제조: Infineon 및 2ED2183S06FXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2ED21834S06JXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.89 $1.05
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage SOI (Silicon-On-Insulator)
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
패키지 PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
핀 수 14 —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -40 °C to +125 °C —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
출력 수 — 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
상승 시간 — 15 ns
하강 시간 — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
동작 온도 — -40 C to +125 C
MSL 레벨 — 2
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)

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