2EDB7259KXUMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDB7259KXUMA1 von Infineon und 2ED2103S06FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDB7259KXUMA1 2ED2103S06FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,22 $0,94
Product Type Isolated Gate Driver IC —
Number of Channels 2 —
Source Drive Current 5 A —
Sink Drive Current 9 A —
Isolation Voltage 2500 Vrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay 38 ns —
Versorgungsspannung 12 V to 18 V —
Betriebstemperatur -40C to +125C —
Gehäuse 13-LGA (5x5 mm) PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology Coreless Transformer Isolation High-Voltage Level Shift (SOI)
Protection Features UVLO, Short-Circuit, Miller Clamp —
Output Stage Rail-to-rail p-channel sourcing —
RoHS-Status Compliant Compliant
Funktion — Half-Bridge Gate Driver
Configuration — Non-Inverting
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Bootstrap Diode — Integrated
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datenblätter & Ressourcen

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