2EDB7259KXUMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 2EDB7259KXUMA1 par Infineon et 2ED2103S06FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 2EDB7259KXUMA1 | 2ED2103S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,22 | $0,94 |
| Product Type | Isolated Gate Driver IC | — |
| Number of Channels | 2 | — |
| Source Drive Current | 5 A | — |
| Sink Drive Current | 9 A | — |
| Isolation Voltage | 2500 Vrms | — |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | 150 V/ns | — |
| Propagation Delay | 38 ns | — |
| Tension d'alimentation | 12 V to 18 V | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | — |
| Boîtier | 13-LGA (5x5 mm) | PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Coreless Transformer Isolation | High-Voltage Level Shift (SOI) |
| Protection Features | UVLO, Short-Circuit, Miller Clamp | — |
| Output Stage | Rail-to-rail p-channel sourcing | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Fonction | — | Half-Bridge Gate Driver |
| Configuration | — | Non-Inverting |
| Number of Drivers | — | 2 (high-side + low-side) |
| Driven Device Type | — | IGBT, N-Channel MOSFET |
| High-Side Offset Voltage (Max) | — | 650 V |
| Bootstrap Voltage (Max) | — | 675 V |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Source Current (typ.) | — | 0.29 A |
| Sink Current (typ.) | — | 0.7 A |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Logic Input Compatibility | — | 3.3 V / 5 V |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VBS) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40C to +125C |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |