2EDB7259KXUMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDB7259KXUMA1 por Infineon e 2ED2103S06FXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDB7259KXUMA1 2ED2103S06FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,22 $0,94
Product Type Isolated Gate Driver IC —
Number of Channels 2 —
Source Drive Current 5 A —
Sink Drive Current 9 A —
Isolation Voltage 2500 Vrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay 38 ns —
Tensão de alimentação 12 V to 18 V —
Temperatura de operação -40C to +125C —
Encapsulamento 13-LGA (5x5 mm) PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology Coreless Transformer Isolation High-Voltage Level Shift (SOI)
Protection Features UVLO, Short-Circuit, Miller Clamp —
Output Stage Rail-to-rail p-channel sourcing —
Status RoHS Compliant Compliant
Função — Half-Bridge Gate Driver
Configuration — Non-Inverting
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Bootstrap Diode — Integrated
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Faixa de temperatura de operação — -40C to +125C
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fichas técnicas e recursos

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