2EDB7259KXUMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDB7259KXUMA1 por Infineon y 2ED2103S06FXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDB7259KXUMA1 2ED2103S06FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,22 $0,94
Product Type Isolated Gate Driver IC —
Number of Channels 2 —
Source Drive Current 5 A —
Sink Drive Current 9 A —
Isolation Voltage 2500 Vrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay 38 ns —
Tensión de alimentación 12 V to 18 V —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado 13-LGA (5x5 mm) PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology Coreless Transformer Isolation High-Voltage Level Shift (SOI)
Protection Features UVLO, Short-Circuit, Miller Clamp —
Output Stage Rail-to-rail p-channel sourcing —
Estado RoHS Compliant Compliant
Función — Half-Bridge Gate Driver
Configuration — Non-Inverting
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Bootstrap Diode — Integrated
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Hojas de datos y recursos

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