2EDL8023GXUMA1 vs 1EDN7146GXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDL8023GXUMA1 von Infineon und 1EDN7146GXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDL8023GXUMA1 1EDN7146GXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,52 $1,05
Driver Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Number of Drivers 2 1
Input Type Non-inverting, TTL-compatible TDI (Truly Differential Inductor)
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Maximum Bootstrap Voltage 120 V —
VCC Supply Range 8 V to 17 V —
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: exact propagation delay ns from datasheet] 40 ns
Channel-to-Channel Delay Match ±2 ns —
Bootstrap Diode Integrated, 120 V rated Integrated
Undervoltage Lockout (VCC) Yes (internal) —
Undervoltage Lockout (VBS) Yes (internal) —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40 C to +125 C
Gehäuse PG-VDSON-8-4 (DSO-8 with exposed thermal pad) PG-VSON-10-4
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Isolation Technology Junction isolation —
RoHS-Status Compliant Compliant
Driver Type — High-side, single-channel
Logic Type — Non-Inverting
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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