2EDL8023GXUMA1 vs 1EDN7146GXTMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 2EDL8023GXUMA1 от Infineon и 1EDN7146GXTMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 2EDL8023GXUMA1 1EDN7146GXTMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,52 $1,05
Driver Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Number of Drivers 2 1
Input Type Non-inverting, TTL-compatible TDI (Truly Differential Inductor)
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Maximum Bootstrap Voltage 120 V —
VCC Supply Range 8 V to 17 V —
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: exact propagation delay ns from datasheet] 40 ns
Channel-to-Channel Delay Match ±2 ns —
Bootstrap Diode Integrated, 120 V rated Integrated
Undervoltage Lockout (VCC) Yes (internal) —
Undervoltage Lockout (VBS) Yes (internal) —
Рабочая температура -40C to +125C -40 C to +125 C
Корпус PG-VDSON-8-4 (DSO-8 with exposed thermal pad) PG-VSON-10-4
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Isolation Technology Junction isolation —
Статус RoHS Compliant Compliant
Driver Type — High-side, single-channel
Logic Type — Non-Inverting
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену