2EDL8023GXUMA1 vs 1EDN7146GXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDL8023GXUMA1 por Infineon y 1EDN7146GXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDL8023GXUMA1 1EDN7146GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,52 $1,05
Driver Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Number of Drivers 2 1
Input Type Non-inverting, TTL-compatible TDI (Truly Differential Inductor)
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Maximum Bootstrap Voltage 120 V —
VCC Supply Range 8 V to 17 V —
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: exact propagation delay ns from datasheet] 40 ns
Channel-to-Channel Delay Match ±2 ns —
Bootstrap Diode Integrated, 120 V rated Integrated
Undervoltage Lockout (VCC) Yes (internal) —
Undervoltage Lockout (VBS) Yes (internal) —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40 C to +125 C
Encapsulado PG-VDSON-8-4 (DSO-8 with exposed thermal pad) PG-VSON-10-4
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Isolation Technology Junction isolation —
Estado RoHS Compliant Compliant
Driver Type — High-side, single-channel
Logic Type — Non-Inverting
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes

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