2EDL8023GXUMA1 vs 1EDN7146GXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL8023GXUMA1 par Infineon et 1EDN7146GXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL8023GXUMA1 1EDN7146GXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,52 $1,05
Driver Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Number of Drivers 2 1
Input Type Non-inverting, TTL-compatible TDI (Truly Differential Inductor)
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Maximum Bootstrap Voltage 120 V —
VCC Supply Range 8 V to 17 V —
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: exact propagation delay ns from datasheet] 40 ns
Channel-to-Channel Delay Match ±2 ns —
Bootstrap Diode Integrated, 120 V rated Integrated
Undervoltage Lockout (VCC) Yes (internal) —
Undervoltage Lockout (VBS) Yes (internal) —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40 C to +125 C
Boîtier PG-VDSON-8-4 (DSO-8 with exposed thermal pad) PG-VSON-10-4
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Isolation Technology Junction isolation —
Statut RoHS Compliant Compliant
Driver Type — High-side, single-channel
Logic Type — Non-Inverting
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes

Fiches techniques et ressources

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