2EDL8023GXUMA1 vs 1EDN7146GXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDL8023GXUMA1 por Infineon e 1EDN7146GXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDL8023GXUMA1 1EDN7146GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,52 $1,05
Driver Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Number of Drivers 2 1
Input Type Non-inverting, TTL-compatible TDI (Truly Differential Inductor)
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Maximum Bootstrap Voltage 120 V —
VCC Supply Range 8 V to 17 V —
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: exact propagation delay ns from datasheet] 40 ns
Channel-to-Channel Delay Match ±2 ns —
Bootstrap Diode Integrated, 120 V rated Integrated
Undervoltage Lockout (VCC) Yes (internal) —
Undervoltage Lockout (VBS) Yes (internal) —
Temperatura de operação -40C to +125C -40 C to +125 C
Encapsulamento PG-VDSON-8-4 (DSO-8 with exposed thermal pad) PG-VSON-10-4
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Isolation Technology Junction isolation —
Status RoHS Compliant Compliant
Driver Type — High-side, single-channel
Logic Type — Non-Inverting
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes

Fichas técnicas e recursos

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