2EP110RXTMA1 vs 2EP101RXTMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2EP110RXTMA1 제조: Infineon 및 2EP101RXTMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2EP110RXTMA1 2EP101RXTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.92 $0.88
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
토폴로지 Full-bridge (two internal half-bridges) Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Input Voltage (VCC) 20 V nominal —
Output Power 5 W —
스위칭 주파수 50 kHz / 65 kHz (selectable) —
Target Loads IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies —
패키지 PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 -40C to +125C —
Protection Features Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start —
출력 구성 Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary) —
MSL 레벨 MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS 상태 Compliant —
Lead-Free Yes —
할로겐 프리 Yes —
Supply Voltage Range — 5 V to 20 V
Maximum Output Power — 5 W
Switching Frequency Option 1 — 50 kHz
Switching Frequency Option 2 — 65 kHz
Duty Cycle Option 1 — 12%
Duty Cycle Option 2 — 17%
출력 수 — 1 (full-bridge differential primary)
동작 온도 범위 — -40 °C to +125 °C
Primary Application — Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply
RoHS Compliance — Compliant
Delivery Form — Tape and Reel (XT suffix)

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