2N7002L vs MMBF170LT1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2N7002L von onsemi und MMBF170LT1 von onsemi. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2N7002L MMBF170LT1
Marke onsemi onsemi
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,03 $0,09
Transistortyp N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) 500 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V —
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max —
Technology High cell density trench MOSFET DMOS
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gehäuse SOT-23 (SOT-23-3) —
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi onsemi (ON Semiconductor)
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (per onsemi product page)
Part Number — MMBF170LT1
Drain-Source Voltage (VDSS) — 60 V
Drain-Gate Voltage (VDGS) — 60 Vdc
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) — ±20 Vdc (per datasheet)
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) — ±40 Vpk (tp <= 50 ms)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Total Device Dissipation (PD) — 225 mW (Ta, FR-5 board)
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet)
Gehäuse / Bauform — SOT-23-3 (TO-236)
Pin-Anzahl — 3
AEC-Q101 Qualified — Yes (per datasheet)
Polarity — N-Channel

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