2N7002L vs MMBF170LT1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2N7002L par onsemi et MMBF170LT1 par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2N7002L MMBF170LT1
Marque onsemi onsemi
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,03 $0,09
Type de transistor N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) 500 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V —
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max —
Technology High cell density trench MOSFET DMOS
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Boîtier SOT-23 (SOT-23-3) —
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi onsemi (ON Semiconductor)
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (per onsemi product page)
Part Number — MMBF170LT1
Drain-Source Voltage (VDSS) — 60 V
Drain-Gate Voltage (VDGS) — 60 Vdc
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) — ±20 Vdc (per datasheet)
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) — ±40 Vpk (tp <= 50 ms)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Total Device Dissipation (PD) — 225 mW (Ta, FR-5 board)
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet)
Boîtier / Format — SOT-23-3 (TO-236)
Nombre de broches — 3
AEC-Q101 Qualified — Yes (per datasheet)
Polarity — N-Channel

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