2N7002L vs MMBF170LT1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2N7002L por onsemi e MMBF170LT1 por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2N7002L MMBF170LT1
Marca onsemi onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,03 $0,09
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) 500 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V —
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max —
Technology High cell density trench MOSFET DMOS
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Encapsulamento SOT-23 (SOT-23-3) —
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi onsemi (ON Semiconductor)
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (per onsemi product page)
Part Number — MMBF170LT1
Drain-Source Voltage (VDSS) — 60 V
Drain-Gate Voltage (VDGS) — 60 Vdc
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) — ±20 Vdc (per datasheet)
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) — ±40 Vpk (tp <= 50 ms)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Total Device Dissipation (PD) — 225 mW (Ta, FR-5 board)
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet)
Encapsulamento / Caixa — SOT-23-3 (TO-236)
Contagem de pinos — 3
AEC-Q101 Qualified — Yes (per datasheet)
Polarity — N-Channel

Fichas técnicas e recursos

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