AS4C512M16D4-75BCN vs AS4C512M16D4-75BCNTR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von AS4C512M16D4-75BCN von Alliance Memory und AS4C512M16D4-75BCNTR von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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AS4C512M16D4-75BCN AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

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AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

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Spezifikationsvergleich

Parameter AS4C512M16D4-75BCN AS4C512M16D4-75BCNTR
Marke Alliance Memory Alliance Memory
Kategorie DRAM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $7,75 $7,90
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Datenrate 2666 MT/s (DDR4-2666) 2666 Mbps per pin
Clock Frequency 1.333 GHz 1.333 GHz
Versorgungsspannung 1.2 V —
CAS-Latenz 18 —
Access Time 18 ns 18 ns
Number of Banks 16 —
Prefetch Architecture 8n 8n
Schnittstelle Parallel Parallel
Gehäuse 96-FBGA (7.5 mm x 13 mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
Betriebstemperaturbereich 0C to +95C (Commercial) 0C to +95C (case, commercial)
Montageart Surface Mount (FBGA) Surface Mount
Packaging Tray —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Standby Power [DATA_NEEDED: standby power] —
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Internal Bank Count — 16 banks
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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