AS4C512M16D4-75BCN vs AS4C512M16D4-75BCNTR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок AS4C512M16D4-75BCN от Alliance Memory и AS4C512M16D4-75BCNTR от Alliance Memory. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCN AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCN ✓ Активен
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр AS4C512M16D4-75BCN AS4C512M16D4-75BCNTR
Бренд Alliance Memory Alliance Memory
Категория DRAM Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $7,75 $7,90
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
Скорость передачи данных 2666 MT/s (DDR4-2666) 2666 Mbps per pin
Clock Frequency 1.333 GHz 1.333 GHz
Напряжение питания 1.2 V —
Задержка CAS 18 —
Access Time 18 ns 18 ns
Number of Banks 16 —
Prefetch Architecture 8n 8n
Интерфейс Parallel Parallel
Корпус 96-FBGA (7.5 mm x 13 mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
Диапазон рабочих температур 0C to +95C (Commercial) 0C to +95C (case, commercial)
Тип монтажа Surface Mount (FBGA) Surface Mount
Packaging Tray —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination Yes (ODT) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Standby Power [DATA_NEEDED: standby power] —
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Internal Bank Count — 16 banks
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену