AS4C512M16D4-75BCN vs AS4C512M16D4-75BCNTR 对比

详细并排对比 AS4C512M16D4-75BCN 出自 Alliance Memory 和 AS4C512M16D4-75BCNTR 出自 Alliance Memory。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

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AS4C512M16D4-75BCN AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCN ✓ 量产中
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AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ 量产中

规格对比

参数 AS4C512M16D4-75BCN AS4C512M16D4-75BCNTR
品牌 Alliance Memory Alliance Memory
分类 DRAM Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $7.75 $7.90
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
存储组织 512M x 16 512M x 16
数据速率 2666 MT/s (DDR4-2666) 2666 Mbps per pin
Clock Frequency 1.333 GHz 1.333 GHz
电源电压 1.2 V —
CAS 延迟 18 —
Access Time 18 ns 18 ns
Number of Banks 16 —
Prefetch Architecture 8n 8n
接口 Parallel Parallel
封装 96-FBGA (7.5 mm x 13 mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
工作温度范围 0C to +95C (Commercial) 0C to +95C (case, commercial)
安装类型 Surface Mount (FBGA) Surface Mount
Packaging Tray —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS 状态 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Standby Power [DATA_NEEDED: standby power] —
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Internal Bank Count — 16 banks
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free — Yes

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