AS4C512M16D4-75BCN vs AS4C512M16D4-75BCNTR 비교

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AS4C512M16D4-75BCN AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCN ✓ 활성
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AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

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사양 비교

파라미터 AS4C512M16D4-75BCN AS4C512M16D4-75BCNTR
브랜드 Alliance Memory Alliance Memory
카테고리 DRAM Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $7.75 $7.90
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
메모리 구성 512M x 16 512M x 16
데이터 속도 2666 MT/s (DDR4-2666) 2666 Mbps per pin
Clock Frequency 1.333 GHz 1.333 GHz
공급 전압 1.2 V —
CAS 레이턴시 18 —
Access Time 18 ns 18 ns
Number of Banks 16 —
Prefetch Architecture 8n 8n
인터페이스 Parallel Parallel
패키지 96-FBGA (7.5 mm x 13 mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
동작 온도 범위 0C to +95C (Commercial) 0C to +95C (case, commercial)
실장 유형 Surface Mount (FBGA) Surface Mount
Packaging Tray —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Standby Power [DATA_NEEDED: standby power] —
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Internal Bank Count — 16 banks
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free — Yes

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