AS4C512M16D4-75BIN vs AS4C512M16D4A-62BIN Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von AS4C512M16D4-75BIN von Alliance Memory und AS4C512M16D4A-62BIN von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

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AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

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Spezifikationsvergleich

Parameter AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4A-62BIN
Marke Alliance Memory Alliance Memory
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,99 $8,10
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 8 Gbit 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz —
Access Time 18 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
Versorgungsspannung 1.2 V 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Gehäuse 96-FBGA (7.5x13) 96-FBGA (7.5x13mm)
Betriebstemperatur -40°C to +95°C -40°C to +95°C
Montageart Surface Mount Surface Mount
Schnittstelle POD POD (Pseudo Open Drain)
Datenrate 2666 Mbps 3200 Mbps per pin
Anzahl der Pins 96 —
RoHS-Status Compliant —
Eigenschaften Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration —
Speicherorganisation — 512M x 16
Clock Rate — 1600 MHz
CAS-Latenz — Programmable (e.g., 22 cycles)
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
RoHS — Compliant
Lead Free — Yes

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