AS4C512M16D4-75BIN vs AS4C512M16D4A-62BIN Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de AS4C512M16D4-75BIN par Alliance Memory et AS4C512M16D4A-62BIN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Actif
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4A-62BIN
Marque Alliance Memory Alliance Memory
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,99 $8,10
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz —
Access Time 18 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
Tension d'alimentation 1.2 V 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Boîtier 96-FBGA (7.5x13) 96-FBGA (7.5x13mm)
Température de fonctionnement -40°C to +95°C -40°C to +95°C
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface POD POD (Pseudo Open Drain)
Débit de données 2666 Mbps 3200 Mbps per pin
Nombre de broches 96 —
Statut RoHS Compliant —
Caractéristiques Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration —
Organisation de la mémoire — 512M x 16
Clock Rate — 1600 MHz
Latence CAS — Programmable (e.g., 22 cycles)
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
RoHS — Compliant
Lead Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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