AS4C512M16D4-75BIN vs AS4C512M16D4A-62BIN Comparação

Comparação detalhada lado a lado de AS4C512M16D4-75BIN por Alliance Memory e AS4C512M16D4A-62BIN por Alliance Memory. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Ativo
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4A-62BIN
Marca Alliance Memory Alliance Memory
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,99 $8,10
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz —
Access Time 18 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
Tensão de alimentação 1.2 V 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Encapsulamento 96-FBGA (7.5x13) 96-FBGA (7.5x13mm)
Temperatura de operação -40°C to +95°C -40°C to +95°C
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Interface POD POD (Pseudo Open Drain)
Taxa de dados 2666 Mbps 3200 Mbps per pin
Número de pinos 96 —
Status RoHS Compliant —
Recursos Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration —
Organização da memória — 512M x 16
Clock Rate — 1600 MHz
Latência CAS — Programmable (e.g., 22 cycles)
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
RoHS — Compliant
Lead Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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