AS4C512M16D4-75BIN vs AS4C512M16D4A-62BIN Comparación

Comparación detallada lado a lado de AS4C512M16D4-75BIN por Alliance Memory y AS4C512M16D4A-62BIN por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Activo
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4A-62BIN
Marca Alliance Memory Alliance Memory
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,99 $8,10
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gbit 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz —
Access Time 18 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
Tensión de alimentación 1.2 V 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Encapsulado 96-FBGA (7.5x13) 96-FBGA (7.5x13mm)
Temperatura de funcionamiento -40°C to +95°C -40°C to +95°C
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Interfaz POD POD (Pseudo Open Drain)
Velocidad de datos 2666 Mbps 3200 Mbps per pin
Número de pines 96 —
Estado RoHS Compliant —
Características Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration —
Organización de memoria — 512M x 16
Clock Rate — 1600 MHz
Latencia CAS — Programmable (e.g., 22 cycles)
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
RoHS — Compliant
Lead Free — Yes

Hojas de datos y recursos

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