AS4C512M16D4-75BIN vs AS4C512M16D4A-62BIN 비교

다음의 상세 나란히 비교: AS4C512M16D4-75BIN 제조: Alliance Memory 및 AS4C512M16D4A-62BIN 제조: Alliance Memory. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ 활성
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AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ 활성

사양 비교

파라미터 AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4A-62BIN
브랜드 Alliance Memory Alliance Memory
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $8.99 $8.10
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
메모리 크기 8 Gbit 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz —
Access Time 18 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
공급 전압 1.2 V 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
패키지 96-FBGA (7.5x13) 96-FBGA (7.5x13mm)
동작 온도 -40°C to +95°C -40°C to +95°C
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
인터페이스 POD POD (Pseudo Open Drain)
데이터 속도 2666 Mbps 3200 Mbps per pin
핀 수 96 —
RoHS 상태 Compliant —
특징 Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration —
메모리 구성 — 512M x 16
Clock Rate — 1600 MHz
CAS 레이턴시 — Programmable (e.g., 22 cycles)
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
RoHS — Compliant
Lead Free — Yes

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