AS4C512M16D4A-62BCN vs H5AN8G8NDJR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von AS4C512M16D4A-62BCN von Alliance Memory und H5AN8G8NDJR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | AS4C512M16D4A-62BCN | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,20 | $24,50 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 1G x 8 |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Datenrate | 1600 MHz (3200 Mbps) | 3200 MT/s |
| CAS-Latenz | 18 ns | 22 (typical) |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5x13 mm) | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| Betriebstemperatur | 0°C to 95°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Montageart | Surface Mount | — |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| Schnittstelle | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |