AS4C512M16D4A-62BCN vs H5AN8G8NDJR Comparación
Comparación detallada lado a lado de AS4C512M16D4A-62BCN por Alliance Memory y H5AN8G8NDJR por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | AS4C512M16D4A-62BCN | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,20 | $24,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 1G x 8 |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Velocidad de datos | 1600 MHz (3200 Mbps) | 3200 MT/s |
| Latencia CAS | 18 ns | 22 (typical) |
| Encapsulado | 96-FBGA (7.5x13 mm) | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 95°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| Interfaz | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |