AS4C512M16D4A-62BCN vs H5AN8G8NDJR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de AS4C512M16D4A-62BCN par Alliance Memory et H5AN8G8NDJR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | AS4C512M16D4A-62BCN | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| Marque | Alliance Memory | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,20 | $24,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 1G x 8 |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Débit de données | 1600 MHz (3200 Mbps) | 3200 MT/s |
| Latence CAS | 18 ns | 22 (typical) |
| Boîtier | 96-FBGA (7.5x13 mm) | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| Interface | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |