BSC016N06NSATMA1 vs IPD135N03LGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC016N06NSATMA1 von Infineon und IPD135N03LGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC016N06NSATMA1 IPD135N03LGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $0,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TA) 30 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.6 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 139 W —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS)
Gehäuse PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant Compliant
Gate Drive (recommended) 10 V —
Technology OptiMOS™ 5 —
Series — OptiMOS™
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 30 A (Tc)
Power Dissipation (PD) — 31 W (Tc)
Gehäuse / Bauform — PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (per OptiMOS™ family spec)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (per OptiMOS™ family spec)
Lead-Free Finish — Yes
Qualification — Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade)

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