BSC016N06NSATMA1 vs IPD135N03LGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC016N06NSATMA1 por Infineon e IPD135N03LGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC016N06NSATMA1 IPD135N03LGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TA) 30 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.6 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 139 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS)
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Gate Drive (recommended) 10 V —
Technology OptiMOS™ 5 —
Series — OptiMOS™
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 30 A (Tc)
Power Dissipation (PD) — 31 W (Tc)
Encapsulamento / Caixa — PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (per OptiMOS™ family spec)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (per OptiMOS™ family spec)
Lead-Free Finish — Yes
Qualification — Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade)

Fichas técnicas e recursos

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