BSC016N06NSATMA1 vs IPD135N03LGATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC016N06NSATMA1 メーカー: Infineon および IPD135N03LGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 - 60V 100A 1.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC016N06NSATMA1 - 60V 100A 1.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC016N06NSATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC016N06NSATMA1 IPD135N03LGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.65 $0.22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TA) 30 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.6 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 139 W —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS)
パッケージ PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Gate Drive (recommended) 10 V —
Technology OptiMOS™ 5 —
Series — OptiMOS™
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 30 A (Tc)
Power Dissipation (PD) — 31 W (Tc)
パッケージ / ケース — PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (per OptiMOS™ family spec)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (per OptiMOS™ family spec)
Lead-Free Finish — Yes
Qualification — Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼