BSC016N06NSTATMA1 vs BSZ031NE2LS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC016N06NSTATMA1 von Infineon und BSZ031NE2LS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC016N06NSTATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,92 $0,26
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC016N06NSTATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Gehäuse PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL]
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Series OptiMOS —
Technology / Platform — OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 3.1 mOhm
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 30 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +150 C
Halogenfrei — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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