BSC016N06NSTATMA1 vs BSZ031NE2LS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC016N06NSTATMA1 par Infineon et BSZ031NE2LS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC016N06NSTATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $0,26
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC016N06NSTATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Boîtier PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL]
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Series OptiMOS —
Technology / Platform — OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 3.1 mOhm
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 30 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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