BSC016N06NSTATMA1 vs BSZ031NE2LS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC016N06NSTATMA1 por Infineon e BSZ031NE2LS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC016N06NSTATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $0,26
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC016N06NSTATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL]
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Series OptiMOS —
Technology / Platform — OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 3.1 mOhm
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 30 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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