BSC016N06NSTATMA1 vs BSZ031NE2LS5ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSC016N06NSTATMA1 por Infineon y BSZ031NE2LS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
BSZ031NE2LS5ATMA1 - 25V N-Ch 3.1mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSZ031NE2LS5ATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | BSC016N06NSTATMA1 | BSZ031NE2LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,92 | $0,26 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC016N06NSTATMA1 | BSZ031NE2LS5ATMA1 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 31 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | 1.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Tc) | 167 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 C to +150 C | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL] |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Series | OptiMOS | — |
| Technology / Platform | — | OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 3.1 mOhm |
| RDS(on) typical @ VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 30 W |
| Temperatura de unión de funcionamiento | — | -55 C to +150 C |
| Sin halógenos | — | Yes |