BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von BSC022N04LS6ATMA1 von Infineon und BSC047N08NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | BSC022N04LS6ATMA1 | BSC047N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,66 | $0,46 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | 4.7 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | — |
| Gehäuse | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Pin-Anzahl | 8 | — |
| Betriebstemperatur | -55 C to +175 C (junction) | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Part Number | — | BSC047N08NS3GATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Power Dissition (Tc) | — | 125 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | — | Normal level (typ 1.7 V) |
| Avalanche Rated | — | 100% tested |
| Betriebstemperaturbereich | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Halogen-free |