BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC022N04LS6ATMA1 メーカー: Infineon および BSC047N08NS3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC022N04LS6ATMA1 ✓ 生産中
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BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC022N04LS6ATMA1 BSC047N08NS3GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.66 $0.46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS™ 6 (N-channel trench) OptiMOS™ 3 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 27 A 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 100 A
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) 139 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.2 mOhm at VGS=10 V 4.7 mOhm at VGS=10 V
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 79 W —
パッケージ SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
ピン数 8 —
動作温度 -55 C to +175 C (junction) —
RoHS ステータス Compliant —
Part Number — BSC047N08NS3GATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Power Dissition (Tc) — 125 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) — Normal level (typ 1.7 V)
Avalanche Rated — 100% tested
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C (Tj)
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Halogen-free

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