BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC022N04LS6ATMA1 par Infineon et BSC047N08NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC022N04LS6ATMA1 | BSC047N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,66 | $0,46 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | 4.7 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | — |
| Boîtier | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Température de fonctionnement | -55 C to +175 C (junction) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Part Number | — | BSC047N08NS3GATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Power Dissition (Tc) | — | 125 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | — | Normal level (typ 1.7 V) |
| Avalanche Rated | — | 100% tested |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Halogen-free |