BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC022N04LS6ATMA1 от Infineon и BSC047N08NS3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC022N04LS6ATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC022N04LS6ATMA1 BSC047N08NS3GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,66 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS™ 6 (N-channel trench) OptiMOS™ 3 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 27 A 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 100 A
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) 139 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.2 mOhm at VGS=10 V 4.7 mOhm at VGS=10 V
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 79 W —
Корпус SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Число выводов 8 —
Рабочая температура -55 C to +175 C (junction) —
Статус RoHS Compliant —
Part Number — BSC047N08NS3GATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Power Dissition (Tc) — 125 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) — Normal level (typ 1.7 V)
Avalanche Rated — 100% tested
Диапазон рабочих температур — -55 °C to +175 °C (Tj)
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Halogen-free

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену