BSC027N04LSGATMA1 vs BSC059N04LS6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC027N04LSGATMA1 von Infineon und BSC059N04LS6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC027N04LSGATMA1 BSC059N04LS6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,54 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V +/-20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Verlustleistung (TC=25°C) 83 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C -55C to +150C
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 6 (N-channel MOSFET)
MSL-Level 1 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Halogenfrei Yes —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 17 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 49 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C — 59 A
On-Resistance RDS(on) max — 5.9 mOhm at VGS=10 V
Total Power Dissipation at TA=25C — 3 W
Total Power Dissipation at TC=25C — 38 W
Diode Continuous Forward Current (IS) — 38 A at TC=25C
Diode Pulse Current (IS,pulse) — 236 A at TC=25C
Lead-Free — Yes

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