BSC027N04LSGATMA1 vs BSC059N04LS6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC027N04LSGATMA1 par Infineon et BSC059N04LS6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC027N04LSGATMA1 | BSC059N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,54 | $0,74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | +/-20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 2.5 W | — |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | 83 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C | -55C to +150C |
| Boîtier | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS 6 (N-channel MOSFET) |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 49 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C | — | 59 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 5.9 mOhm at VGS=10 V |
| Total Power Dissipation at TA=25C | — | 3 W |
| Total Power Dissipation at TC=25C | — | 38 W |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | — | 38 A at TC=25C |
| Diode Pulse Current (IS,pulse) | — | 236 A at TC=25C |
| Lead-Free | — | Yes |