BSC027N04LSGATMA1 vs BSC059N04LS6ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC027N04LSGATMA1 por Infineon e BSC059N04LS6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC027N04LSGATMA1 | BSC059N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,54 | $0,74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | +/-20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 2.5 W | — |
| Dissipação de potência (TC=25°C) | 83 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +150°C | -55C to +150C |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS 6 (N-channel MOSFET) |
| Nível MSL | 1 | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 49 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C | — | 59 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 5.9 mOhm at VGS=10 V |
| Total Power Dissipation at TA=25C | — | 3 W |
| Total Power Dissipation at TC=25C | — | 38 W |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | — | 38 A at TC=25C |
| Diode Pulse Current (IS,pulse) | — | 236 A at TC=25C |
| Lead-Free | — | Yes |