BSC027N04LSGATMA1 vs BSC059N04LS6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC027N04LSGATMA1 por Infineon y BSC059N04LS6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC027N04LSGATMA1 BSC059N04LS6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,54 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V +/-20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Disipación de potencia (TC=25°C) 83 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C -55C to +150C
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 6 (N-channel MOSFET)
Nivel MSL 1 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 17 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 49 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C — 59 A
On-Resistance RDS(on) max — 5.9 mOhm at VGS=10 V
Total Power Dissipation at TA=25C — 3 W
Total Power Dissipation at TC=25C — 38 W
Diode Continuous Forward Current (IS) — 38 A at TC=25C
Diode Pulse Current (IS,pulse) — 236 A at TC=25C
Lead-Free — Yes

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