BSC032N04LSATMA1 vs IAUCN04S7L019ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC032N04LSATMA1 von Infineon und IAUCN04S7L019ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC032N04LSATMA1 IAUCN04S7L019ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,32 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 5 40V —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 98 A —
RDS(on) max at VGS=10V 3.2 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 52 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Technology OptiMOS 5 trench —
Gehäuse PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-33
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +175°C —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series — OptiMOS™ 7
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V — 1.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value]
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value]
Betriebstemperatur — -55°C to +175°C (junction)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — [DATA_NEEDED: Pd max at 25C]
Wärmewiderstand, Sperrschicht-Umgebung — [DATA_NEEDED: RthJA value]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
MSL-Level — 1
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Standard Pack Quantity — 5000 pieces
Ordering Code Suffix — ATMA1 (Tape & Reel 13")

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