BSC032N04LSATMA1 vs IAUCN04S7L019ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC032N04LSATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN04S7L019ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC032N04LSATMA1 IAUCN04S7L019ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.32 $0.48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 5 40V —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 98 A —
RDS(on) max at VGS=10V 3.2 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 52 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Technology OptiMOS 5 trench —
패키지 PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-33
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 접합 온도 -55°C to +175°C —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series — OptiMOS™ 7
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V — 1.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value]
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value]
동작 온도 — -55°C to +175°C (junction)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — [DATA_NEEDED: Pd max at 25C]
열 저항, 접합-주변 — [DATA_NEEDED: RthJA value]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
MSL 레벨 — 1
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Standard Pack Quantity — 5000 pieces
Ordering Code Suffix — ATMA1 (Tape & Reel 13")

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