BSC032N04LSATMA1 vs IAUCN04S7L019ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC032N04LSATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L019ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC032N04LSATMA1 IAUCN04S7L019ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,32 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 5 40V —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 98 A —
RDS(on) max at VGS=10V 3.2 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 52 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Technology OptiMOS 5 trench —
Boîtier PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-33
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +175°C —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series — OptiMOS™ 7
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V — 1.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value]
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value]
Température de fonctionnement — -55°C to +175°C (junction)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — [DATA_NEEDED: Pd max at 25C]
Résistance thermique, jonction-ambiance — [DATA_NEEDED: RthJA value]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Niveau MSL — 1
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Standard Pack Quantity — 5000 pieces
Ordering Code Suffix — ATMA1 (Tape & Reel 13")

Fiches techniques et ressources

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