BSC032N04LSATMA1 vs IAUCN04S7L019ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC032N04LSATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7L019ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 - 40V 3.2mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC032N04LSATMA1 - 40V 3.2mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC032N04LSATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IAUCN04S7L019ATMA1 IAUCN04S7L019ATMA1 - 40V 1.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L019ATMA1 - 40V 1.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L019ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC032N04LSATMA1 IAUCN04S7L019ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.32 $0.48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 5 40V —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 98 A —
RDS(on) max at VGS=10V 3.2 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 52 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Technology OptiMOS 5 trench —
パッケージ PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-33
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作接合温度 -55°C to +175°C —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series — OptiMOS™ 7
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V — 1.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value]
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value]
動作温度 — -55°C to +175°C (junction)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — [DATA_NEEDED: Pd max at 25C]
熱抵抗、接合-周囲間 — [DATA_NEEDED: RthJA value]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
MSLレベル — 1
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Standard Pack Quantity — 5000 pieces
Ordering Code Suffix — ATMA1 (Tape & Reel 13")

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼