BSC0502NSIATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von BSC0502NSIATMA1 von Infineon und IPD046N08N5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Infineon
BSC0502NSIATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET 2.3mOhm | Infineon
BSC0502NSIATMA1 ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | BSC0502NSIATMA1 | IPD046N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,85 | $0,78 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) | OptiMOS™ 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 26 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 2.3 mOhm | — |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | 9.0 nC | — |
| Output Charge QOSS Typ | 13.5 nC | — |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | 43 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Betriebstemperaturbereich | -55C to +150C | — |
| Gehäuse | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS-Status | Compliant | ROHS3 Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS™ 5 80V |
| Transistortyp | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 4.6 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 125 W |
| Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich | — | -55 °C to +175 °C |
| Gehäuse / Bauform | — | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) |
| MSL-Level | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | — | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) |