BSC0502NSIATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC0502NSIATMA1 par Infineon et IPD046N08N5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC0502NSIATMA1 IPD046N08N5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,85 $0,78
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench MOSFET) OptiMOS™ 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 26 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 2.3 mOhm —
Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ 9.0 nC —
Output Charge QOSS Typ 13.5 nC —
Power Dissipation at TA (Ta=25C) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (Tc=25C) 43 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS™ 5 80V
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 4.6 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 125 W
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Boîtier / Format — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration — Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source)

Fiches techniques et ressources

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