BSC0502NSIATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC0502NSIATMA1 от Infineon и IPD046N08N5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSC0502NSIATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET 2.3mOhm | Infineon
BSC0502NSIATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | BSC0502NSIATMA1 | IPD046N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,85 | $0,78 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) | OptiMOS™ 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 26 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 2.3 mOhm | — |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | 9.0 nC | — |
| Output Charge QOSS Typ | 13.5 nC | — |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | 43 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C | — |
| Корпус | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | Compliant | ROHS3 Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS™ 5 80V |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 4.6 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 125 W |
| Диапазон рабочей температуры перехода | — | -55 °C to +175 °C |
| Корпус / Типоразмер | — | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) |
| Уровень MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | — | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) |